Stacking-dependent thermoelectric transport in layered Sc_2Si_2Te_6 from first principles
Deze studie toont aan dat de stapelingsvolgorde (AA, AB of ABC) in gelaagd Sc₂Si₂Te₆ de elektronische banddegeneratie en de roosterwarmtegeleidbaarheid aanzienlijk beïnvloedt, waardoor uiteindelijk wordt vastgesteld dat de ABC- en AB-structuren een superieure thermoelektrische prestatie bieden in vergelijking met de AA-structuur.