Variational and field-theoretical approach to exciton-exciton interactions and biexcitons in semiconductors
Dit artikel presenteert een variatie- en veldentheoretische benadering om de interacties tussen excitonen en de vorming van biexcitonen in halfgeleiders te beschrijven, waarbij een effectief interactiepotentiaal wordt afgeleid die de Heitler-London-methode generaliseert en kan worden toegepast op complexe systemen zoals tweedimensionale materialen.