High Breakdown Field Multi-kV UWBG AlGaN Transistors
Deze studie presenteert hoogpresterende UWBG AlGaN PolFET-transistoren die een uitzonderlijke combinatie van hoge aanstroom, een extreem hoge doorbraakveldsterkte en multi-kV doorbraakspanningen bieden, waardoor ze zeer geschikt zijn voor zowel hoogspannings- als RF-toepassingen.