Transmission Line Method Characterization of Thermally Evaporated Al/Cr/Au Contacts on AlGaN/GaN-on-Silicon Carbide Heterostructures
Deze studie toont aan dat thermisch verdampt Al/Cr/Au-contact op AlGaN/GaN-op-SiC-heterostructuren, wanneer gegloeid bij 850 °C gedurende 47 seconden, laagresistieve ohmse interfaces vormt die geschikt zijn voor hoogfrequente en hoogvermogen GaN-toepassingen, zoals gevalideerd door karakterisering via de transmissielijnmethode.