Uncertainty propagation from SEM profiles to TCAD-referenced electrical predictions using coupled process and device models
Dit artikel presenteert een raamwerk dat onzekerheid van dwarsdoorsnede-SEM-profielen voortplant via gekoppelde proces- en device-TCAD-modellen om ruimtelijk coherente contouren en gekalibreerde elektrische voorspellingen te genereren, waarbij een hoge geometrische nauwkeurigheid en betrouwbare dekking van de drempelspanning-intervallen worden bereikt voor de karakterisering van halfgeleidercomponenten.