🔬 natuurkunde
Development of LGAD Sensor Technology on 12 inch Wafers for 3D Integration with advanced CMOS processes
Dit artikel rapporteert over het ontwerp, de simulatie en de initiële tests van Low Gain Avalanche Diode (LGAD) sensoren gefabriceerd in 65 nm CMOS-technologie op 12-inch wafers, die zijn ontwikkeld om volledige wafer-naar-wafer hybride bonding met 28 nm Readout Integrated Circuits te demonstreren.
Ron Lipton, Julie Segal, Angela Kok, Troy England, Artur Apresyan, Davide Braga, Farah Fahim, Shuoxing Wu, Christopher K (…)2026-09-30