Atomistic dynamics of early oxidation of Si upon ultra-short pulsed laser heating
Deze studie combineert reactieve moleculaire dynamica-simulaties met experimentele validatie om aan te tonen dat de vroege oxidatie van silicium onder verhitting door ultra-korte gepulste laser wordt beheerst door een overgang van verwaarloosbare groei onder het smeltpunt naar snelle, diffusiegecontroleerde oxidevorming binnen de transiënte gesmolten siliciumlaag.