Three-Dimensional Micro-Scale Characterization of Silicon Carbide devices using the TPA-TCT method
Deze studie presenteert de eerste toepassing van de Two-Photon-Absorption Transient-Current-Technique (TPA-TCT) voor het karakteriseren van siliciumcarbide p-in-n diodes, waarbij de unieke capaciteit voor hoogresolutie 3D micro-schaal analyse van interne device-eigenschappen wordt aangetoond door middel van experimentele validatie en vergelijking met ionenstraalresultaten.