Effect of Thermal Annealing on the Structural, Optical, and Photodetection Properties of β-Ga2O3 Thin Films Grown by the Sol-Gel Method on SiO2/Si Substrates
Deze studie toont aan dat thermische gloeiing van via de sol-gel methode verkregen β-Ga2O3 dunne films op SiO2/Si-substraten effectief amorfe precursoren transformeert in polykristallijne structuren met instelbare bandgap en door zuurstofvacatures gemedieerde fotodetectie-eigenschappen, wat de fabricage van snel reagerende planaire fotodetectoren mogelijk maakt.