Characteristics of GaAs Thin Films Grown by MOVPE Using Triethylgallium (TEGa) and Tertiarybutylarsine (TBAs)
Deze studie toont aan dat hoogwaardige, ongedoteerde homoepitaxiale GaAs-dunne films met gladde oppervlakken, lage ladingsdragerconcentraties en een hoge mobiliteit succesvol kunnen worden gegroeid met triethylgallium (TEGa) en tertiair-butylarsine (TBAs) precursoren bij groeitemperaturen van 600°C en hoger, wat aanzienlijk beter presteert dan films die bij lagere temperaturen zijn gegroeid.