Selectively Demarcating and Modifying Defects in Two-Dimensional Semiconductors in a 300 mm Fab
Dit artikel presenteert een produceerbaar chloorgebaseerd proces op 300 mm substraten dat selectief defecten in molybdeendisulfide-monolagen etst en herstelt, wat de elektrische prestaties van de resulterende veldeffecttransistors aanzienlijk verbetert.