Control of threshold voltages in Si/SiGe quantum devices via optical illumination
Dit artikel으로 toont aan dat systematische verschuivingen in de drempelspanning van Si/SiGe-kwantumapparaten kunnen worden bereikt en nauwkeurig kunnen worden gecontroleerd via nabij-infrarode optische illuminatie onder een toegepaste gate-spanning, wat een reproduceerbare methode biedt om stabiele operationele condities in te stellen en het mechanisme verklaart achter het succesvolle herstel van qubit-apparaten na ladinginjectie-gebeurtenissen.