Valley Splitting Correlations Across a Silicon Quantum Well Containing Germanium
Deze studie toont aan dat variaties in de valley splitting in een door Intel vervaardigde SiGe/Si/SiGe quantum dot-array ruimtelijke correlaties vertonen op zowel sub-100nm als micrometer schalen, wat bevestigt dat microscopische legeringsdisorder de dominante factor is en essentiële inzichten biedt voor het ontwerpen van schaalbare siliciumgebaseerde quantumcomputers.