Modelling the Impact of Device Imperfections on Electron Shuttling in SiMOS devices
Dit artikel presenteert uitgebreide 3D-simulaties die aantonen dat hoewel elektronentransport in SiMOS-apparaten kwetsbaar is voor oxide-interface-ruwheid en defecten, een verhoogde opsluiting robuust 'conveyor-belt'-transport mogelijk maakt, terwijl defecten aan de Si/SiO2-interface aanzienlijke orbitale excitatie kunnen veroorzaken.