Electric-Field Control of Quantum Tunneling Regimes in Focused He-Ion-Beam-Irradiated Oxide Interfaces
Este trabalho demonstra que a irradiação com feixe de íons de hélio permite a fabricação de transistores de efeito de campo de tunelamento em interfaces de óxidos, possibilitando o controle eletrostático de diferentes regimes de tunelamento quântico através de barreiras de potencial nanométricas.