Heating of black-Si by microwaves at 2.45 GHz: effect of nano-needle orientation
Este estudo demonstra que o aquecimento por micro-ondas do silício negro a 2,45 GHz é significativamente intensificado e dependente da orientação, com nanoagulhas alinhadas verticalmente alcançando temperaturas mais altas do que o silício plano e agulhas inclinadas exibindo um início de aquecimento retardado distinto, tudo impulsionado pela geração de portadores termicamente ativados e efeitos de birrefringência de forma.