Atomic short-range order control of GeSn as a new degree of freedom for band engineering
Este estudo demonstra que o controle da ordem de curto alcance atômica em ligas GeSn, influenciada pelo método de crescimento (MBE versus CVD), constitui uma nova variável para engenharia de banda, permitindo reduzir o gap de energia e otimizar dispositivos fotônicos e eletrônicos baseados em silício.