Nanoscale mapping of stacking-dependent work function and local photoresponse in CVD-grown MoS2 bilayers by KPFM
Este estudo utiliza microscopia de sonda de Kelvin (KPFM) para mapear como a ordem de empilhamento (AA' e AB) e defeitos de crescimento influenciam o trabalho de saída e a resposta fotoelétrica local em bicamadas de MoS2 sintetizadas por CVD, revelando efeitos competitivos do acoplamento intercamadas e do aprisionamento de cargas na performance optoeletrônica.