Interplay between strain and size quantization in a class of topological insulators based on inverted-band semiconductors
Este artigo desafia a visão predominante sobre estados de superfície topológicos em semicondutores de banda invertida de largura finita e sob tensão, ao demonstrar que a sobreposição de funções de onda em bordas opostas induz retroespalhamento que destrói a robustez do estado, enquanto também deriva condições de contorno universais para o modelo de Kane que revelam um novo "estado de asa" induzido por tensão ausente no modelo de Luttinger.