Fractional-Monolayer 2D-GaN/AlN Structures: Growth Kinetics and UVC-emitter Applications
Este artigo investiga a cinética de crescimento e as propriedades ópticas de poços quânticos de GaN/AlN de camada fracionária crescidos por epitaxia de feixe molecular ativada por plasma, propondo um modelo fenomenológico que vincula suas características de emissão a mecanismos de crescimento específicos e demonstrando seu potencial como poderosos emissores ultravioleta-C.