Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells
Este estudo utiliza simulações eletrotérmicas de elementos finitos 2D para demonstrar que os efeitos termoelétricos e o transporte filamentar em células de memória de mudança de fase tipo cogumelo de GeSbTe reduzem significamente a energia e a potência de Reset quando a corrente flui do eletrodo superior para o estreito eletrodo inferior, ao mesmo tempo em que revela que o volume de programação é independente das dimensões de contato acima de 10 nm e que contatos maiores trocam o aumento da variabilidade por uma melhor confiabilidade.