Ab Initio Transfer Length Method Simulations of Tunneling Limits in 2D Semiconductors
Este estudo apresenta uma estrutura computacional *ab initio* baseada no modelo de linha de transmissão (TLM) para caracterizar as interfaces metal/semicondutor 2D, identificando limites fundamentais de tunelamento e estratégias ótimas de contato para transistores de próxima geração.