Unlocking extreme doping and strain in epitaxial monocrystalline silicon
Este artigo demonstra um controle sem precedentes da hiperdopagem e deformação da rede em silício monocristalino epitaxial dopado com boro via laser de nanosegundos, alcançando concentrações de portadores e deformações recorde que são quantitativamente explicadas por um modelo combinatório apoiado por cálculos de primeiros princípios, o qual revela que a limitação máxima de portadores é imposta pela formação de complexos inativos entre dopantes vizinhos.
Léonard Desvignes, Dominique Débarre, Ludovic Largeau, Géraldine Hallais, Gilles Patriarche, Giacomo Priante, Eric Ngo, Olivia Mauguin, Alberto Debernardi, Bernard Sermage, Francesca Chiodi2026-03-09🔬 cond-mat.mtrl-sci