Co-optimization of spin coherence and valley splitting in Si/SiGe heterostructures
Este estudo utiliza a teoria do funcional da densidade para demonstrar que heteroestruturas de Si/SiGe com poços quânticos de 3–4 nm, baixas concentrações de Ge e Si (50 ppm) e interfaces nítidas podem simultaneamente alcançar divisões de vale excedendo 500 eV e tempos de desfasamento de spin superiores a 15 s, cootimizando assim estes parâmetros críticos para dispositivos quânticos de semicondutores.