VBr >10 kV E-Beam/Sputtered Vertical NiOx/(011) \beta-Ga2O3 HJDs with PFOM >2.3 GW/cm2
Este artigo relata a fabricação de diodos de heterojunção verticais de NiOx/(011) -GaO com uma tensão de ruptura superior a 10 kV e uma figura de mérito de potência superior a 2,3 GW/cm, alcançando um campo de ruptura de plano paralelo recorde de >5,3 MV/cm em camadas epitaxiais espessas de (011) -GaO.