From Narrow-gap Semiconductor to Metallic Altermagnet: Optical Fingerprints of Co-Doped FeSb
Este estudo demonstra que a substituição moderada de cobalto transforma o semicondutor de gap estreito FeSb em um altermagneto metálico à temperatura ambiente, com evidências ópticas e teóricas confirmando que as transições interbanda de baixa energia resultantes e as anomalias de fônons surgem de bandas com divisão de spin não relativística e de um acoplamento elétron-fônon aprimorado, enquanto se preserva a simetria altermagnética.