A área de Física da Matéria Condensada e Ciência dos Materiais investiga como os átomos se organizam para criar as propriedades que definem o mundo ao nosso redor, desde a condutividade de um fio até a flexibilidade de um novo polímero. É um campo onde a descoberta teórica se transforma rapidamente em tecnologias que moldam nosso dia a dia.

No Gist.Science, acompanhamos diariamente os novos preprints dessa categoria vindos diretamente do arXiv. Nossa equipe processa cada publicação para oferecer resumos técnicos detalhados e explicações em linguagem acessível, garantindo que os avanços mais recentes sejam compreensíveis para todos os níveis de conhecimento.

Abaixo, você encontrará a lista atualizada das pesquisas mais recentes publicadas nesta intersecção fascinante entre física e engenharia.

🔬 ciência dos materiais

Data-Efficient Machine learning for Predicting Dopant Formation Energies in TiO2_2 Monolayer

Este estudo demonstra que modelos de aprendizado de máquina, combinados com cálculos de teoria do funcional da densidade e descritores físico-químicos, podem prever com precisão as energias de formação de dopantes em monocamadas de TiO₂, mesmo com conjuntos de dados pequenos e curados, garantindo também a transferência química entre diferentes elementos dopantes.

Kati Asikainen, Matti Alatalo, Marko Huttula, Assa Aravindh Sasikala Devi2026-02-17
🔬 ciência dos materiais

Fast and accurate quasi-atom method for simultaneous atomistic and continuum simulation of solids

O artigo apresenta um novo método híbrido rápido e preciso que combina simulação atômica em regiões críticas com modelagem contínua baseada em "quase-átomos" otimizados via aprendizado de máquina, demonstrando superioridade em velocidade computacional e facilidade de implementação em comparação com métodos existentes como o AtC.

Artem Chuprov, Egor E. Nuzhin, Alexey A. Tsukanov, Nikolay V. Brilliantov2026-02-17
🔬 ciência dos materiais

Identifying open-orbit topological surface states in dual topological semimetal TaSb2_2

Utilizando espectroscopia de fotoemissão resolvida em ângulo, cálculos de teoria do funcional da densidade e medições de transporte, os autores identificaram estados de superfície topológicos de órbita aberta no semimetal topológico dual TaSb2_2, estabelecendo-o como uma plataforma para transporte topológico polarizado por spin.

Susmita Changdar, Heike Schlörb, Oleksandr Suvorov, Dimitry Efremov, Alexander Yaresko, Rui Lou, Alexander Fedorov, Bern (…)2026-02-17
🔬 ciência dos materiais

Low-Temperature Sputtering and Polarity Determination of Vertically Aligned ZnO Nanocolumns

Este artigo relata o crescimento de nanocolunas de ZnO verticalmente alinhadas em substratos de silício via sputtering magnético reativo em baixa temperatura, demonstrando como a pressão de sputtering e o pré-aquecimento do substrato controlam a morfologia e a polaridade, resultando em filmes com coeficiente piezoelétrico aprimorado adequados para eletrônica flexível.

A. Hamzi, L. Ouardas, M. Saleh, P. Leuasoongnoen, T. Sonklin, P. David, S. le Denmat, O. Leynaud, E. Mossang, B. Fernand (…)2026-02-17
🔬 ciência dos materiais

Stacking-Engineered Thermal Transport and Phonon Filtering in Rhenium Disulfide

Este estudo demonstra que a ordem de empilhamento em dissulfeto de rênio (ReS₂) atua como um mecanismo eficaz para controlar o transporte térmico intercamadas, permitindo a engenharia de condutividade térmica e filtragem de fônons através da modulação do acoplamento intercamadas e da transição entre regimes difusivo e balístico.

Yongjian Zhou, Haoran Cui, Zefang Ye, Jung-Fu Lin, Yan Wang, Yaguo Wang2026-02-17
🔬 física de mesoescala

Topological Lasing from Thouless Pumping in Bilayer Photonic Crystal

Este trabalho demonstra numericamente a criação de um laser topológico reconfigurável dinamicamente em cristais fotônicos de bicamada na faixa de telecomunicações, utilizando bombeamento de Thouless e heterojunções projetadas para permitir fontes de luz robustas e sintonizáveis via MEMS ou materiais de mudança de fase.

D. -H. -Minh Nguyen, Dung Xuan Nguyen, Hai-Chau Nguyen, Thibaud Louvet, Emmanuel Drouard, Xavier Letartre, Dario Berciou (…)2026-02-16
🔬 ciência dos materiais

Realisation of de Gennes′' Absolute Superconducting Switch with a Heavy Metal Interface

Os autores relatam a realização de um interruptor supercondutor absoluto não volátil, proposto por de Gennes, utilizando estruturas EuS/Au/Nb/EuS onde a combinação de um metal pesado e uma condutância de mistura de spin robusta permite suprimir completamente a supercondutividade em configurações de magnetização paralela, alcançando uma eficiência de comutação praticamente ideal.

Hisakazu Matsuki, Alberto Hijano, Grzegorz P. Mazur, Stefan Ilic, Binbin Wang, Yuliya Alekhina, Kohei Ohnishi, Sachio Ko (…)2026-02-16
🔬 física de mesoescala

Spin-degenerate bulk bands and topological surface states associated with Dirac nodal lines in RuO2

Este estudo utiliza espectroscopia fotoemissiva de resolução angular micro-focada e cálculos de primeiros princípios para demonstrar que o RuO₂ exibe bandas de volume sem desdobramento de spin e estados de superfície topológicos associados a linhas nodais de Dirac, desafiando a interpretação do material como um altermagneto e destacando o papel crucial desses estados de superfície em suas propriedades spintrônicas e catalíticas.

T. Osumi, K. Yamauchi, S. Souma, S. Paul, A. Honma, K. Nakayama, K. Ozawa, M. Kitamura, K. Horiba, H. Kumigashira, C. Bi (…)2026-02-16
🔬 ciência dos materiais

Phonon properties and unconventional heat transfer in quasi-2D Bi2O2SeBi_2O_2Se crystal

Este estudo investiga as propriedades fonônicas e a transferência de calor não convencional no cristal quasi-2D Bi2O2SeBi_2O_2Se, revelando que um fônon polar de baixa frequência é responsável por uma permissividade dielétrica excepcionalmente alta que permite alta mobilidade de elétrons, enquanto fônons acústicos de baixa frequência geram comportamentos anômalos na capacidade térmica e condutividade térmica.

Jan Zich, Antonín Sojka, Petr Levinský, Martin Míšek, Kyo-Hoon Ahn, Jiří Navrátil, Jiří Hejtmánek, Karel Knížek, Václav (…)2026-02-16