Self-oriented Seed Formation and Dynamic Annular-Gap Evolution During Sustained Long-length Entirely Detached Crystal Growth in the Vertical Directional Solidification (VDS)
Este estudo demonstra que o crescimento de cristal inteiramente destacado de comprimento prolongado e sustentado de semicondutores baseados em Sb em um processo de Solidificação Direcional Vertical (VDS) é alcançado através da formação de uma semente autoorientada e da subsequente evolução de uma lacuna anular dinâmica, resultando em cristais com perfeição estrutural significativamente aprimorada e densidades de deslocamento reduzidas.