🔬 physics

A Color-Coded 3D Particle Tracking Velocimetry System for Velocity Measurement in Transient Evaporating Films

Este artigo apresenta um sistema de velocimetria de partículas 3D com câmera única e codificação por cores que mede com sucesso velocidades de convecção anteriormente desconhecidas dentro de filmes evaporativos finos e transientes de diclorometano submetidos a superaquecimento impulsivo.

Andrew Gunther Jansen, Dana Dabiri, Aneet Dharmavaram Narendranath, Jeffrey S. Allen, James C. Hermanson2026-06-26
🔬 physics

Utilizing 4D-STEM to Characterize Diffusion-Induced Grain Boundary Migration in NiCr Alloys

Este estudo utiliza 4D-STEM combinado com EDS para caracterizar como a migração de contorno de grão induzida por difusão em ligas de NiCr altera a microestrutura local e gera deformação de coerência anisotrópica, particularmente em altas concentrações de cromo.

Eitan Hershkovitz, Karen Kruska, Pauline Simmonnin, Konnor Walter, Emmanuelle Marquis, Daniel Schreiber, Chongmin Wang2026-06-26
🔬 physics

Novel FeSi2 Driven Charge Transport Mechanisms in SnS Based Thin-Film Solar Cells.

Este estudo utiliza simulações numéricas SCAPS-1D para demonstrar que células solares de filmes finos baseadas em SnS impulsionadas por FeSi₂ podem alcançar uma eficiência máxima de 25,06% através da otimização das espessuras das camadas e do alinhamento de bandas, ao mesmo tempo em que revela que seu desempenho é significativamente limitado pela recombinação de interface termicamente ativada e estados de armadilha rasos.

Mouad Chettab, Halima Djaaboube, Selma Rabhi, Yassine Bouachiba, Saïdi Fayçal, Adel Taabouche, Redha Aouati, Merabet Mou (…)2026-06-26
🔬 physics

Thermal Stability and Photovoltaic Enhancement of Double Perovskite (Cs₂InSbCl₆) Based Solar Cell (p-i-n) through Thickness and Bandgap Optimization

Este estudo utiliza simulações SCAPS-1D para demonstrar que a otimização da espessura e do bandgap de uma célula solar de perovskita dupla baseada em Cs₂InSbCl₆ produz uma alta eficiência de conversão de energia de quase 28% com perdas de recombinação reduzidas e estabilidade térmica aceitável, estabelecendo-a como uma candidata promissora para a próxima geração de fotovoltaicos.

Mouad Chettab2026-06-26
🔬 physics

Probing topological phase transitions via nonlinear Hall response in strained moiré dice lattice

Este artigo demonstra que o efeito Hall anômalo não linear, impulsionado pelo dipolo de curvatura de Berry e significativamente intensificado pela quebra de simetria quiral, serve como uma sonda robusta para detectar transições de fase topológica e reversões de sinal em redes de bicamada de dados torcidas, polarizadas em vale e sob tensão, longe da neutralidade de carga.

Bilal Tanatar, Gourab Paul, Srijata Lahiri, Saurabh Basu2026-06-26
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Optimization of CISSe/CdS/ZnO/SLG Solar Cell: Simulation Study on Electrical losses Effected by Metastable Defects

Este estudo utiliza simulações SCAPS-1D para otimizar células solares de CISSe/CdS/ZnO/SLG ao analisar o impacto da direção de iluminação, das propriedades de contato e dos parâmetros do absorvedor, identificando, por fim, uma configuração de iluminação superior com um bandgap e afinidade eletrônica otimizados que alcança uma eficiência de conversão de energia máxima de 33,34%.

Mouad Chettab, Selma Rabhi, Halima Djaaboube2026-06-26
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Defect-induced electrostatic anchoring for extreme-temperature power device encapsulation

Este artigo apresenta uma estratégia de ancoragem eletrostática induzida por defeitos e livre de modificadores, utilizando nanopartículas de CeO2 e nanofolhas de BN para criar um compósito de gel de silicone robusto que alcança uma excepcional rigidez dielétrica e estabilidade térmica a 250 °C, superando as limitações dos modificadores químicos tradicionais para o encapsulamento de dispositivos de potência em temperaturas extremas.

Laili Wang, Qi Wang, Yongmei Gan, Yisen Lv, Tianshu Yuan, Dingkun Ma, Hongyan Xia2026-06-26
🔬 physics

Telecom-band quantum memory with chlorine defects in silicon carbide

Este artigo demonstra que defeitos baseados em cloro em 4H-SiC servem como uma plataforma promissora e escalável em nível de wafer para memórias quânticas em escala de chip, ao exibirem coerência de spin à temperatura ambiente, ressonância magnética detectada opticamente e emissão de linha zero-fófon em toda a faixa de telecomunicações.

Georgy Astakhov, Andrei Anisimov, Kalliopi Mavridou, Ashin Mathews, Manfred Helm2026-06-26