Minimal-process CMOS-compatible resistive switches with intrinsic analog plasticity via oxygen implantation in Si
Este artigo demonstra uma abordagem de processo mínimo e compatível com CMOS para fabricar interruptores resistivos estáveis com plasticidade analógica intrínseca ao implantar diretamente oxigênio no silício para criar camadas de SiOₓ não estequiométricas controladas que exibem comutação impulsionada por vacâncias de oxigênio e reorganização cumulativa de defeitos adequadas para aplicações neuromórficas.