Effect of Thermal Annealing on the Structural, Optical, and Photodetection Properties of β-Ga2O3 Thin Films Grown by the Sol-Gel Method on SiO2/Si Substrates
Este estudo demonstra que o recozimento térmico de filmes finos de β-Ga2O3 derivados de sol-gel em substratos de SiO2/Si transforma efetivamente precursores amorfos em estruturas policristalinas com band gaps ajustáveis e propriedades de fotodetecção mediadas por vacâncias de oxigênio, permitindo a fabricação de fotodetectores planares de resposta rápida.