Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
Este artigo demonstra o crescimento bem-sucedido de filmes finos de InSe de alta mobilidade e fase pura sobre nitreto de boro hexagonal via epitaxia de van der Waals, alcançando uma mobilidade de efeito de campo de pico de aproximadamente 4.000 cm²/Vs através de condições otimizadas de epitaxia de feixe molecular que garantem interfaces atomicamente abruptas e transporte intrínseco limitado por fônons.