Minimizing propagated density errors of atomic core-electron for simultaneously accurate bandgaps and lattice constants in closed-shell Copper semiconductors
本研究表明,对铜内层电子采用修正的哈特里-福克伪势,同时对价电子保留(半)局域泛函,可以消除传播的密度误差,从而在 50 多种闭壳层铜半导体中同时实现带隙和晶格常数的高精度。
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本研究表明,对铜内层电子采用修正的哈特里-福克伪势,同时对价电子保留(半)局域泛函,可以消除传播的密度误差,从而在 50 多种闭壳层铜半导体中同时实现带隙和晶格常数的高精度。
本文引入了一种基于光学吸收边的改进型莫斯规则(Moss rule),用于识别尚未被充分探索的高折射率材料,并揭示了 (Hf,Zr)2(S,Se)N2 硫族氮化物家族相比于最先进的 TiO2 和 SiC,在下一代光子应用方面具有更优越的光学特性。
通过在宽温度范围内利用超快相干声子光谱技术,研究人员发现,尽管 T-WTe 中的高频光学声子模式遵循常规的非简谐散射,但 2.4 THz 的低频模式表现出归因于声子-电子散射的反常行为。
这项研究揭示了在 Rec 相中,Sb/Au(111) 表面的电子结构受控于重构诱导的 Umklapp 散射(该散射产生了折叠费米口袋)与显著的 Sb-Au 轨道杂化(该杂化修改了底层的 Au 源能带)之间的相互作用。
本研究利用开尔文探针力显微镜技术证明,AEAPTMS 分子钝化通过减轻电子无序,使混合阳离子钙钛矿薄膜的表面电势均匀化、降低晶界势垒并增强光电压稳定性。
本文介绍了一种先进的聚焦离子束(FIB)断层扫描方法,该方法涉及样品旋转和新的基于体素强度的形式化方法,以有效量化并减轻孔隙回跳效应,从而显著提高多孔氮化镓(GaN)薄膜表征中的特征分辨率。
本研究引入了一种结合了高斯过程、卷积神经网络(CNN)和快速傅里叶变换(FFT)代理模型的贝叶斯优化多保真度框架,用于高效调优晶格材料设计的遗传算法超参数,在仅用 25 代即可实现相当的力学性能的同时,降低了 24% 的计算成本,并消除了对变异的需求。
本研究利用探针粒子模拟证明,源自三维力场的力等值面成像能够通过保留分子骨架细节并实现非平面及三维分子的定量取向恢复,从而有效克服传统高分辨率原子力显微镜(AFM)的局限性。
这项研究表明,优化单晶 BiOSe 的高温电子迁移率需要尽量减少富硒生长条件,因为这些条件会诱发取代缺陷和结构不均匀性,从而退化 BiO 传输通道、增加有效质量,并产生迁移率随载流子浓度升高而提高这一反直觉趋势。
本研究表明,通过在高温下沉积底层铂模板以确保高度有序的外延生长,利用射频磁控溅射技术可以在 Pt(111)/Al2O3 基底上成功生长出具有高结晶质量和亚纳米粗糙度的化学计量比 (111) 织构 SrTiO3 薄膜。