Spin-Orbit Coupling Effects on the Structural and Electronic Properties of Planar Pentagonal p-MS (M = Si, Ge, and Pb)
本研究采用密度泛函理论证明,自旋轨道耦合显著改变了平面五边形 p-MS(M = Si、Ge、Pb)材料的结构和电子性质,稳定了 Ge 和 Pb 变体,并在 p-PbS 中诱导出具有 0.475 eV 带隙的金属 - 半导体转变,从而表明其在气体传感应用中的潜力。