Comprehensive TCAD Investigation of RF Performance, Noise Characteristics, and Intrinsic Capacitances of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs: Impact of Gate-to-Channel Distance and Gate Bias.
本研究利用 TCAD 仿真证明,增加 InAlAs/InGaAs/InP HEMT 的栅极与沟道距离通常会降低噪声谱密度和栅漏电容,同时增加输出电导和栅源电容,而改变栅极偏置则会对电流和电压噪声特性产生截然不同且往往相反的影响。