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本研究展示了利用在铂化硅上通过射频磁控溅射沉积的 60 nm Al₂O₃ 薄膜成功制备并表征出高质量金属-绝缘体-金属电容器，该电容器具有光滑的形貌、极低的漏电流以及稳定的介电特性，适用于电子应用。
本研究表明，底层电极材料显著影响了射频溅射 HfO₂ MIM 电容器的表面形貌和频率相关电学性能，其中 Al/HfO₂/Pt 结构相比于 Al/HfO₂/Al 配置表现出更优异的介电性能和更低的能量耗散，使其更适用于高频射频应用。
通过将同步辐射 X 射线成像技术与高速光学技术相结合，本研究揭示了虽然空化作用通过表面侵蚀和层间气泡塌陷驱动肾结石的粉碎，但具体的断裂机制——从剥落到层间剥离——是由结石的微观结构而非仅由加载条件所决定的。
本研究表明，在 PEA2PbCl4 与 Sn-掺杂的 PEA2Pb1-xSnxBr4 之间构建横向外延异质结构，通过机械稳定晶格并促进高效的界面能量转移，能够抑制自陷激子发射并显著提高载流子迁移率。
本文提出了一种开源、可复现的工作流，通过自动提取氢封端团簇、选择活性空间并构建经过验证的费米子与量子比特哈密顿量，将密度泛函理论表面模型与量子算法相连接，适用于如 IrO2(110) 等表面催化系统，且无需高性能计算。
本文提出了一种用于天基微弱目标检测的噪声盲源分离技术，该技术利用随机动态掩模调制方案来产生超丛聚光（super-bunching）光并实现基于单光子探测器阵列的高阶光子相关成像，从而在极端背景噪声和光子匮乏条件下实现超宽动态范围和高速成像。
本文提出了一种用于精确模拟非对称阿尔法峰的新型四参数解析函数，并已将其集成到现有的 ALF 软件中，以实现对多达十个重叠峰的解卷积。
本文引入了基元对称性破缺指数（MSBI）作为一种连续结构描述符，用于量化交错磁性自旋分裂，从而建立了一个可解释的机器学习框架，通过晶格畸变、压力和化学取代来指导巨交错磁体的发现与设计。
本文介绍了 FRESH-MRI，这是一种将磁化率引起的频率偏移转化为多相流定量局部体积分数测量值的新方法，该方法使用标准 MRI 扫描仪即可实现，且无需校准、示踪剂或专用硬件。
本文提出了一种源自十一维M理论几何结构的零参数标度律，该规律通过定义一个受拓扑约束和离散量化选择支配的普适“存在预算”，成功预测了整个标准模型中的粒子质量与寿命，从而为G2紧致化的M理论提供了间接证据。