High-Field EPR/ENDOR of N/Be Centers for Defect Engineering in 6H-SiC
Diese Studie nutzt hochfeld-W-Band-EPR- und ENDOR-Spektroskopie zur Charakterisierung von Stickstoff- und Beryllium-kointeilhaftem 6H-SiC, wobei die unterschiedlichen Gitterpositionen, Spin-Kohärenzeigenschaften und die hochgradig delokalisierte Spindichte aufgezeigt werden, um die Machbarkeit des Dual-Impurity-Defekt-Engineerings für Quantentechnologien zu demonstrieren.