Spatiotemporal programming via asymmetric dielectric engineering for nonvolatile 2D optoelectronics

Diese Arbeit präsentiert eine spatiotemporale Programmierstrategie unter Verwendung eines asymmetrischen dielektrischen Stapels in einer Dual-Floating-Gate-Architektur, um ein durch ein einzelnes Gate gesteuertes, nichtflüchtiges und reversibles Schalten zwischen p-n- und n-p-Übergangspolaritäten in ambipolaren 2D-Halbleitern zu ermöglichen und dadurch hochdichte, multifunktionale intelligente Hardware zu erleichtern.

Ursprüngliche Autoren: Xiaoguang Luo, Xiaolong Zhang, Honglei Chen, Jiaming Wang, Fan Liu, Jiongtao Zhang, Junqiang Zhang, Yihan Yin, Jinpeng Xu, Lei Ying, Renjing Xu, Yingchun Cheng, Xuetao Gan, Wei Huang