Overcoming Material Trade-Offs in MEMS Transducers via Lateral Ferroelectric–Piezoelectric Thin-film Integration
Este artículo presenta una novedosa arquitectura de transductor MEMS que supera las compensaciones inherentes de los materiales mediante la integración lateral de PZT de alto rendimiento para la actuación y AlN de baja pérdida para la detección dentro de un único resonador, lo que resulta en un aumento de diez veces el voltaje de salida eléctrica y una mejora significativa del factor de mérito a través de un amplio rango de frecuencias.