Atomistic dynamics of early oxidation of Si upon ultra-short pulsed laser heating
Este estudio combina simulaciones de dinámica molecular reactiva con validación experimental para demostrar que la oxidación temprana del silicio bajo calentamiento por láser de pulso ultracorto está gobernada por una transición desde un crecimiento insignificante por debajo del punto de fusión hacia una formación de óxido rápida y controlada por difusión dentro de la capa transitoria de silicio fundido.