AlGaN/GaN heterojunction field effect transistor structure integrated photoelectrode probe with optical artifact suppression function
Este artículo presenta una sonda fotoelectródica integrada que utiliza transistores de efecto de campo de heterounión AlGaN/GaN con una arquitectura de registro diferencial para estimular neuronas y adquirir simultáneamente señales electrofisiológicas de alta calidad, suprimiendo los artefactos ópticos en un 90%.