Study of Oxide Semiconductor ZnO with Deposition Temperatures Effect of on the Structural, Optical and Electrical Properties
Este estudio demuestra que la deposición de películas delgadas de ZnO mediante una técnica de pulverización neumática a 450 °C produce propiedades estructurales, ópticas y eléctricas óptimas, incluyendo un tamaño de cristalito máximo de 15.19 nm, aproximadamente un 85 % de transparencia, una brecha de banda de 3.31 eV y la resistividad eléctrica más baja de 0.064 Ω·cm.