Giant PhotoMagnetoDiode Effect
Cet article rapporte l'observation d'un effet photomagnétodiode géant dans des échantillons de GaAs de haute qualité obtenus par croissance VPE à basse température, caractérisé par un rapport de rectification de photocourant de type diode de 10 sous un champ magnétique de 0,1 T, ce qui est expliqué par la théorie de la dérive ambipolaire combinée à une recombinaison de surface rapide.