Localized Excitonic Emission in Wafer-Scale MOCVD-Grown GaSe 2D Nanosheets for Classical and Non-Classical Light Sources
Cette étude démontre la croissance par MOCVD à l'échelle du wafer de nanofeuillets 2D de GaSe, révélant que l'émission localisée induite par des défauts permet à la fois une émission de lumière classique large bande et une émission quantique de photons uniques, établissant ainsi une plateforme évolutive pour les technologies photoniques intégrées.