Atomic short-range order control of GeSn as a new degree of freedom for band engineering
Cette étude démontre que le contrôle de l'ordre à courte portée chimique dans les alliages GeSn, influencé par la méthode de croissance (MBE ou CVD), constitue un nouveau degré de liberté pour l'ingénierie de bande, permettant de réduire davantage la largeur de bande interdite et d'améliorer les dispositifs photoniques sur silicium.