Nanoscale mapping of stacking-dependent work function and local photoresponse in CVD-grown MoS2 bilayers by KPFM
Cette étude utilise la microscopie à sonde de Kelvin (KPFM) pour cartographier à l'échelle nanométrique les variations du travail de sortie et de la réponse photoélectrique dans des bicouches de MoS₂ épitaxiées par CVD, révélant l'influence déterminante de l'ordre d'empilement (AA' ou AB), du couplage intercouche et des hétérogénéités locales induites par le substrat et les impuretés de croissance sur leurs propriétés optoélectroniques.