Controlled Fabrication of Uniform Columnar Porous GaN Architectures by Electrochemical Etching
Cette étude démontre que l'ajout d'ions hydroxyde aux solutions de gravure électrochimique permet la fabrication contrôlée d'architectures de GaN poreuses, colonnaires, uniformes et verticalement alignées grâce à un mécanisme de réaction distinct, offrant ainsi une voie polyvalente pour l'ingénierie de structures à haute porosité destinées aux applications optoélectroniques.