Photoluminescence of Femtosecond Laser-irradiated Silicon Carbide
Cette étude caractérise l'impact de l'irradiation par laser femtoseconde sur le carbure de silicium pour générer des centres de couleur, en démontrant notamment que la présence d'une couche de graphène épitaxial abaisse le seuil nécessaire à l'émission de photoluminescence.