Hydrogenation-induced gigantic resistance decrease of palladium films deposited by high pressure magnetron sputtering
Cette étude démontre que l'hydrogénation de films de palladium fortement désordonnés déposés par pulvérisation cathodique à haute pression d'argon provoque une diminution gigantesque de leur résistance électrique (jusqu'à un rapport de 1/335), attribuée à la fois à l'amélioration des contacts entre les grains et à une cristallisation induite par l'hydrogène, offrant ainsi une voie prometteuse pour l'amélioration des capteurs d'hydrogène.