Role of Local Structural Variation in X-ray Photoelectron Spectrum of Silicon Oxide Interfaces
L'étude démontre que l'élargissement des spectres de photoémission X des interfaces d'oxyde de silicium résulte d'une distribution statistique continue des énergies de liaison des niveaux de cœur à travers diverses signatures structurales locales, ce qui occulte les empreintes chimiques distinctes et remet en question les méthodes conventionnelles d'attribution spectrale.